氮化硅陶瓷AMB覆铜基板

技术领域：新材料

成果描述：

氮化硅活性金属钎焊（AMB）基板因其具有高可靠、高导热、优异机械性能及热膨胀系数匹配良好等特点，已成为高温功率半导体电子器件的首选封装基板，在绝缘棚双极型晶体管（IGBT）的电源控制模块、高功率发光二级管（LED）、高功率激光器等器件封装中占据核心地位。相较于直接覆铜（DBC）基板，氮化硅AMB基板在导热性能、电流载荷、热膨胀系数等方面均有大幅度的提升，极大地提高了高功率器件的可靠性。目前，氮化硅AMB基板正逐渐替代氧化铝或氮化铝DBC基板，成为高功率电子封装应用的首选，是决定整体性能、可靠性及工作寿命的关键影响因素。

本团队研发的高导热强韧氮化硅陶瓷基板在技术参数上已经追上国际较为先进水平，热导率稳定达到85W/m‧K以上，平均抗弯强度超过800 MPa，联合行业头部企业，未来生产规模将进一步扩大，有望成为国内氮化硅陶瓷基板较大供货商，并逐渐赶超国际先进技术水平，可实现高精度、高热导、低热阻、超强可靠性与耐用性的氮化硅陶瓷基板自主可控量产。同时，协同活性金属钎料覆铜工艺及相关封装测试技术，实现关键材料、关键工艺、关键设备全链条自主研发生产，将助力我国集成电路封装及高功率器件模块持续进步发展。

应用情况：

氮化硅陶瓷AMB覆铜基板适用于制作车规级功率电子模块封装、大功率工业电功驱动模块、国家电网大功率逆变器、高铁轨道交通等应用，也适用于国防领域功率电子封装应用。